本发明实施例公开了一种封装基板表面电镀方法,可包括:在已形成线路的封装基板上印刷阻焊剂以形成阻焊层;将封装基板的阻焊层加工出阻焊图形;在加工出阻焊图形的封装基板上冷贴抗镀干膜且露出待镀表面金属电镀物区域,其中,冷贴抗镀干膜的贴膜温度低于抗镀干膜的熔点温度;对冷贴抗镀干膜的封装基板进行镀表面金属电镀物处理;去除镀表面金属电镀物处理后的封装基板上的抗镀干膜。本发明实施例的技术方案有利于改善封装基板镀表面金属电镀物的上镀优良率和镀面色差。
1.一种封装基板表面电镀方法,其特征在于,包括:在已形成线路的封装基板上印刷阻焊剂以形成阻焊层;将所述封装基板的阻焊层加工出阻焊图形;在加工出阻焊图形的所述封装基板上冷贴抗镀干膜且露出待镀表面金属电镀物区域,其中,所述冷贴抗镀干膜的贴膜温度低于所述抗镀干膜的熔点温度;对冷贴抗镀干膜的所述封装基板进行镀表面金属电镀物处理;去除镀表面金属电镀物后的所述封装基板上的抗镀干膜。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述在加工出阻焊图形的所述封装基板上冷贴抗镀干膜且露出待镀表面金属电镀物区域,包括:在加工出阻焊图形的所述封装基板上冷贴抗镀干膜;对所述抗镀干膜进行曝光显影处理以露出待镀表面金属电镀物区域。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述表面金属电镀物包括:金、镍金、镍钯金、银或锡。
4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述对所述抗镀干膜进行曝光显影处理以露出待镀表面金属电镀物区域,包括:对所述抗镀干膜进行曝光显影处理以露出待镀镍软金区域;所述对冷贴抗镀干膜的所述封装基板进行镀表面金属电镀物处理,去除镀表面金属电镀物后的所述封装基板上的抗镀干膜,包括:对冷贴抗镀干膜的所述封装基板进行镀镍软金处理,去除镀镍软金处理后的所述封装基板上的抗镀干膜。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述去除镀镍软金处理后的所述封装基板上的抗镀干膜之后,还包括:在镀镍软金处理后的所述封装基板上冷贴抗镀干膜且露出待镀镍硬金区域;对露出待镀镍硬金区域的所述封装基板进行镀镍硬金处理;去除镀镍硬金处理后的所述封装基板上的抗镀干膜。
6.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述对所述抗镀干膜进行曝光显影处理以露出待镀表面金属电镀物区域,包括:对所述抗镀干膜进行曝光显影处理以露出待镀镍硬金区域;所述对冷贴抗镀干膜的所述封装基板进行镀表面金属电镀物处理,去除镀表面金属电镀物后的所述封装基板上的抗镀干膜,包括:对冷贴抗镀干膜的所述封装基板进行镀镍硬金处理,去除镀镍硬金处理后的所述封装基板上的抗镀干膜。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述去除镀镍硬金处理后的所述封装基板上的抗镀干膜之后,还包括:在镀镍硬金处理后的所述封装基板上冷贴抗镀干膜且露出待镀镍软金区域;对露出待镀镍软金区域的所述封装基板进行镀镍软金处理;去除镀镍软金处理后的所述封装基板上的抗镀干膜。
8.根据权利要求1至7任一项所述的方法,其特征在于,所述冷贴抗镀干膜的贴膜温度范围为20°C~50°C。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述冷贴抗镀干膜的贴膜温度范围为40°C。
10.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述抗镀干膜悬空覆盖住所述封装基板上的非镀镍软金区域以露出待镀镍软金区域;和/或,所述抗镀干膜悬空覆盖住所述封装基板上的非镀镍硬金区域以露出待镀镍硬金区域。技术领域
本发明涉及电路板制造领域,具体涉及一种封装基板表面电镀方法。
背景技术
封装基板(也称载板)是用于承载电子元器件(例如芯片)的印刷线路板。在封装基板的镀表面金属电镀物(例如金)过程中,需要在无需镀表面金属电镀物的区域贴上抗镀干膜。以镀金为例,目前业界的镀金贴干膜工艺一般在超过110°C的高温下进行贴膜,抗镀干膜在高温下具有更好的流动性与填充性,由于封装基板的铜面与油墨面存在高度差,而高温贴膜非常容易在铜面产生点状气泡,点状气泡界面非常薄,在电镀金过程中可能出现破裂而使得上金不良,最终导致客户端打线不良、外观金面色差不良等问题。
发明内容
本发明实施例提供封装基板表面电镀方法,以期改善封装基板镀表面金属电镀物的上镀优良率和镀面色差。为解决上述技术问题,本发明实施例提供以下技术方案:一种封装基板表面电镀方法,包括:在已形成线路的封装基板上印刷阻焊剂以形成阻焊层;将所述封装基板的阻焊层加工出阻焊图形;在加工出阻焊图形的所述封装基板上冷贴抗镀干膜且露出待镀表面金属电镀物区域,其中,所述冷贴抗镀干膜的贴膜温度低于所述抗镀干膜的熔点温度;对冷贴抗镀干膜的所述封装基板进行镀表面金属电镀物处理;去除镀表面金属电镀物后的所述封装基板上的抗镀干膜。由上可见,本发明实施例封装基板镀表面金属电镀物过程中,在已形成线路的封装基板上印刷阻焊剂以形成阻焊层;将该封装基板的阻焊层加工出阻焊图形;在加工出阻焊图形的该封装基板上冷贴抗镀干膜且露出待镀表面金属电镀物区域,该冷贴抗镀干膜的贴膜温度低于该抗镀干膜的熔点温度;对冷贴抗镀干膜的封装基板进行镀表面金属电镀物处理。由于冷贴抗镀干膜的贴膜温度低于抗镀干膜的熔点温度,贴膜过程中抗镀干膜便不会熔化,不会产生强流动性和强填充性,此时的抗镀干膜中也不会形成点状气泡等,这样在镀表面金属电镀物过程中就不会出现抗镀干膜中因气泡破裂而使得上镀不良的问题,有利于改善封装基板镀表面金属电镀物的上镀优良率和镀面色差,进而可有效的提高客户端的打线优良率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本发明实施例提供的一种封装基板表面电镀方法的流程示意图;图2-a是本发明实施例提供的一种形成线路的封装基板示意图;图2-b是本发明实施例提供的一种加工了出阻焊图形的封装基板示意图;图2-c是本发明实施例提供的一种冷贴抗镀干膜的封装基板示意图;图2-d是本发明实施例提供的一种镀镍软金后的封装基板示意图;图2-e是本发明实施例提供的另一种冷贴抗镀干膜的封装基板示意图;图2-f是本发明实施例提供的一种镀镍硬金后的封装基板示意图。
具体实施方式
本发明实施例提供封装基板表面电镀方法,以期改善封装基板镀表面金属电镀物的上镀优良率和镀面色差。下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。以下通过实施例分别进行详细说明。本发明封装基板表面电镀方法的一个实施例,包括:在已形成线路的封装基板上印刷阻焊剂以形成阻焊层;将该封装基板的阻焊层加工出阻焊图形;在加工出阻焊图形的该封装基板上冷贴抗镀干膜且露出待镀表面金属电镀物区域,该冷贴抗镀干膜的贴膜温度低于该抗镀干膜的熔点温度;对冷贴抗镀干膜的封装基板进行镀表面金属电镀物处理;去除镀表面金属电镀物后的封装基板上的抗镀干膜。参见图1,本发明实施例提供的一种封装基板镀金方法可包括:101、在已形成线路的封装基板上印刷阻焊剂以形成阻焊层;102、将封装基板的阻焊层加工出阻焊图形;其中,例如可对封装基板的阻焊层进行曝光显影处理以阻焊图形,或者通过其它方式将封装基板的阻焊层加工出需要的阻焊图形。例如将形成阻焊层的封装基板的焊盘露出。例如参见图2-a和图2-b,其中,图2-a举例示出了一种形成了线路的封装基板,包括基材20和线路21。图2-b举例示出了一种加工了出阻焊图形的封装基板,其中,封装基板上形成了阻焊图形22。103、在加工出阻焊图形的封装基板上冷贴抗镀干膜且露出待镀表面金属电镀物区域;其中,冷贴抗镀干膜的贴膜温度低于抗镀干膜的熔点温度;在实际应用中,冷贴抗镀干膜的贴膜温度范围例如可为20°C~50°C或其它温度范围,贴膜温度例如为20°C、25°C、30°C、35°C、40°C、45°C、50°C或55°C或其它温度等。例如可根据抗镀干膜的类型和具体应用场景来具体确定贴膜温度。其中,可在加工出阻焊图形的封装基板上冷贴抗镀干膜且露出待镀表面金属电镀物(例如待镀镍硬金区域或待镀镍软金区域)。例如,可对冷贴的抗镀干膜进行曝光显影处理以露出待镀镍硬金区域(或待镀镍软金区域);或,也可只在加工出阻焊图形的封装基板上的非镀镍硬金区域(或非镀镍软金区域)冷贴抗镀干膜以露出待镀镍硬金区域(或待镀镍软金区域)。可以理解,由于冷贴抗镀干膜的贴膜温度低于抗镀干膜的熔点温度,贴膜过程中抗镀干膜便不会熔化,不会产生强流动性和强填充性,此时的抗镀干膜中也不会形成点状气泡等。104、对冷贴抗镀干膜的封装基板进行镀表面金属电镀物处理;105、去除镀表面金属电镀物后的封装基板上的抗镀干膜。本发明实施例中,对封装基板电镀表面金属电镀物的目的主要有如下目的其中一个或多个:其一是利用表面金属电镀物层来保护线路,以防止线路被氧化和/或增强线路的耐磨性;其二是保证后续装配过程中,电镀有表面金属电镀物的线路与其它线路(例如芯片焊盘)之间良好的电气连通结合性能。本发明实施例中,表面金属电镀物例如包括:金(即可在封装基板上电镀金层)、镍金(即可在封装基板上电镀镍金层)、镍钯金(即可在封装基板上电镀镍钯金层)、银(即可在封装基板上电镀银层)或锡(即可在封装基板上电镀锡层)、或者其它能够防止线路被氧化,和/或增强线路的耐磨性,和/或能保证线路良好电气连通结合性能的其它金属或合金。在一种应用场景下,若既需要在封装基板镀镍硬金还需要镀镍软金,可对加工出阻焊图形的封装基板上冷贴的抗镀干膜进行曝光显影处理,以露出待镀镍软金区域,对冷贴抗镀干膜的该封装基板进行镀镍软金处理(例如先镀镍再镀软金);去除镀镍软金处理后的封装基板上的抗镀干膜;而后,在镀镍软金处理后的该封装基板上冷贴抗镀干膜且露出待镀镍硬金区域(例如对该冷贴的抗镀干膜进行曝光显影处理以露出待镀镍硬金区域,或者,也可只在镀镍软金处理后的该封装基板上的非镀镍硬金区域冷贴抗镀干膜以露出待镀镍硬金区域);对露出待镀镍硬金区域的该封装基板进行镀镍硬金处理(例如先镀镍再镀硬金);去除镀镍硬金处理后的该封装基板上的抗镀干膜。在另一种应用场景下,若既需要在封装基板镀镍硬金还需要镀镍软金,可对加工出阻焊图形的封装基板上冷贴的抗镀干膜进行曝光显影处理,以露出待镀镍硬金区域,对冷贴抗镀干膜的该封装基板进行镀镍硬金处理(例如先镀镍再镀硬金);去除镀镍硬金处理后的封装基板上的抗镀干膜;而后,在镀镍硬金处理后的该封装基板上冷贴抗镀干膜且露出待镀镍软金区域(例如对该冷贴的抗镀干膜进行曝光显影处理以露出待镀镍软金区域,或者,也可只在镀镍硬金处理后的该封装基板上的非镀镍软金区域冷贴抗镀干膜,以露出待镀镍软金区域);对露出待镀镍软金区域的该封装基板进行镀镍软金处理(例如先镀镍再镀软金);去除镀镍软金处理后的该封装基板上的抗镀干膜。在实际应用中,抗镀干膜可悬空覆盖住封装基板上的非镀镍软金区域以露出待镀镍软金区域(其中,抗镀干膜、非镀镍软金区域和阻焊图形可共同形成封闭空间);和/或,抗镀干膜可悬空覆盖住封装基板上的非镀镍硬金区域以露出待镀镍硬金区域(其中,抗镀干膜、非镀镍硬金区域和阻焊图形可共同形成封闭空间。后续,例如可以利用推磨线或者其它的工具来去除镀镍金处理后的封装基板上的抗镀干膜。请一并参见图2-c~2-f,其中,图2-c举例示出了一种冷贴抗镀干膜的封装基板,抗镀干膜231悬空覆盖住了非电镀区域24和待镀镍硬金区域25,露出了待镀镍软金区域26。抗镀干膜231、阻焊图形22和非电镀区域24及待镀镍硬金区域25形成了封闭空间27。图2-d举例示出了一种镀镍软金后的封装基板,在待镀镍软金区域镀上了镍软金261。图2-e举例示出了另一种冷贴抗镀干膜的封装基板,抗镀干膜232悬空覆盖住了非电镀区域24和已镀镍软金区域26,露出了待镀镍硬金区域25。抗镀干膜232、阻焊图形22和非电镀区域24及已镀镍软金区域26形成了封闭空间27。图2-f举例示出了一种镀镍硬金后的封装基板,在待镀镍硬金区域镀上了镍硬金251。图2-c~图2f举例示出了封装基板先镀镍软金后镀镍硬金的工艺过程,当然也可选择先镀镍硬金后镀镍软金,其工艺过程可类似参考图2-c~图2f。类似的,在封装基板电镀其它表面金属电镀物的工艺过程,亦可类似的参考图2-c~图2f。由上可见,本发明实施例封装基板镀表面金属电镀物过程中,在已形成线路的封装基板上印刷阻焊剂以形成阻焊层;将该封装基板的阻焊层加工出阻焊图形;在加工出阻焊图形的该封装基板上冷贴抗镀干膜且露出待镀表面金属电镀物区域,该冷贴抗镀干膜的贴膜温度低于该抗镀干膜的熔点温度;对冷贴抗镀干膜的封装基板进行镀表面金属电镀物处理。由于冷贴抗镀干膜的贴膜温度低于抗镀干膜的熔点温度,贴膜过程中抗镀干膜便不会熔化,不会产生强流动性和强填充性,此时的抗镀干膜中也不会形成点状气泡等,这样在镀表面金属电镀物过程中就不会出现抗镀干膜中因气泡破裂而使得上镀不良的问题,有利于改善封装基板镀表面金属电镀物的上镀优良率和镀面色差,进而可有效的提高客户端的打线优良率。需要说明的是,对于前述的各方法实施例,为了简单描述,故将其都表述为一系列的动作组合,但是本领域技术人员应该知悉,本发明并不受所描述的动作顺序的限制,因为依据本发明,某些步骤可以采用其他顺序或者同时进行。其次,本领域技术人员也应该知悉,说明书中所描述的实施例均属于优选实施例,所涉及的动作和模块并不一定是本发明所必须的。以上对本发明实施例所提供的封装基板表面电镀方法进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想;同时,对于本领域的一般技术人员,依据本发明实施例,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上描述,本说明书内容不应理解为对本发明的限制。